详解MOSFET特性参数值
一：绝对最大额定值(任何情况下都不允许超过的最大值，超过此值可能会导致产品失效)
1. 额定电压
VDS：GS短接，漏极D和源极S间所能施加的最大电压值
VGS：DS短接，栅极G和源极S间所能施加的最大电压值
2. 额定电流
ID：漏极允许通过的最大直流电流值，此值受导通阻抗，封装和内部连线等的制约
IDM：漏极允许通过的最大脉冲电流值，此值受脉冲宽度和占空比等的制约
3. 额定功耗
PD：芯片所能承受的最大功耗，测定条件有以下两种：
1) 管壳温度TC=25℃，接散热板，使芯片结温达到TJmax时施加的功率大小；
2) 环境温度TA=25℃，不接散热板，使芯片结温达到TJmax时施加的功率大小；
4. 额定温度
TJ：结温，芯片所能承受的最大温度，一般TJ≤150℃
Tstg：MOSFET器件本身的储存温度范围，一般最低为-55℃，最高为150℃
5.热阻
热阻：表示产品散热性能的好坏，热阻值越小，散热性能越好
RθJA：芯片到环境间的热阻抗
RθJC：芯片到封装管壳间的热阻抗
一般热阻值可通过额定功耗和温度计算得出：
RθJA= ( TJ(MAX) - TA ) / PD
RθJC= ( TJ(MAX) - TC ) / PD
6. 安全动作区SOA
SOA全称Safe Operating Area，主要由4个限制区构成，如下图所示：
A：导通阻抗限制
B：额定电流限制
C：额定功耗限制(单脉冲)
D：额定电压限制
7. MOSFET抗雪崩能力
1) 雪崩电流IAS，IAR
2) 雪崩能量EAS，EAR
EAS：单次雪崩能量，一次性雪崩期间所能承受的能量，以TJ≤150℃为极限
EAR：重复雪崩能量，所能承受以一定频率重复出现的雪崩能量，以TJ≤150℃为极限
单次雪崩
重复雪崩
MOSFET雪崩能力测试电路
怎样选择MOSFET的额定参数(推荐)：
电压：应高于实际最大电压的1.2倍
电流：应高于实际最大电流的1.2倍
功耗：应高于实际最大功耗的1.5倍
结温：实际使用不应超过125℃
二：电参数
1. 漏电流
IDSS:VGS=0V，在DS间加额定电压VDS(一般为80%BVDSS)，流过ID的漏电流；
IGSS:VDS=0V，在GS间加额定电压VGS(一般为100%VGS)，流过IG的漏电流；
2. 开启电压VGS(th)
一般为VDS=VGS，ID=250uA条件下的VGS值；MOSFET的VGS(th)值具有负温度特性，即温度升高，VGS(th)参数值会降低
3. 导通阻抗 RDS(on)
MOSFET处于导通状态时的阻抗，导通阻抗越大，开启状态时的损耗就越大，所以MOS管的选取，导通阻抗越小越好；MOSFET的RDS(on)值具有正温度特性，即温度升高，RDS(on)参数值会增大
导通阻抗RDS(on)一般在指定VGS和ID值的条件下测量得到，常温条件下，相同VGS值，ID越大，RDS(on)值也会越大；相同ID值，VGS越大，RDS(on)值会越小
4. 正向传导系数gFS
定义：漏极电流ID变化量与VGS值变化量的比值 ，单位为S(西门子)，类似于双极型晶体管的HFE
5. 内部电容量
MOSFET容量值越小，QG越小，开关速度越快，开关损耗越小
6. 电荷量
QG：栅极总电荷量
QGS：栅源极间的电荷量
QGD：栅漏极间的电荷量
MOSFET电荷的容量越大，所需开关时间越长，开关损失越大
、
7. 开关时间
td(on)：开启延迟时间
td(off)：关断延迟时间
tr：上升时间
tf：下降时间
8. 体二极管
MOS管衬底和漏极之间存在PN结所形成的二极管，通常衬底和源极短接故等效为源极和漏极之间的二极管，该二极管与沟道并联。测量体二极管参数时必须使沟道处于关闭状态。
